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报告人简介：

陈佰乐现为上海科技大学信息科学与技术学院常任副教授（tenured）、 研究员、 博士生导师，入选国家高层次青年人才项目。近年来，陈佰乐带领团队实现了超高速近红外探测器（3dB带宽＞220GHz @1550nm, 是国际上少数能实现200GHz带宽探测器的课题组之一〉、高功率红外探测器（饱和光电流大于150mA）、高速－高晌应度中红外宽光谱探测器（3dB带宽＞12 GHz @3-5μm）和低噪声雪崩光电二极管等一系列高性能III-V族半导体光电探测器。至今发表期刊论文110余篇，其中60余篇论文以第一作者或者通讯作者发表于Nature Communications, Optica, ACS Photonics, IEEE Electron Device Letters, IEEE Journal of Lightwave Technology, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics，等国际知名期刊， 相关工作被多家媒体报道。 陈佰乐主持科技部国家重点研发计划， 国家自然科学基金面上项目，上海市青年扬帆计划，以及多项中科院重点实验室项目。现为美国光学学会Optica旗下知名期Optics Express 的副主编，同时也是IEEE Senior Member和中国光学工程学会高级会员。

摘要：

半导体光电探测器在光电子系统中扮演着重要角色，而III-V族半导体材料以其卓越的光电性能成为制备激光器、探测器等光电器件的首选之一。本报告将介绍我们课题组在III-V族半导体红外探测器领域的最新研究进展，特别关注了高速UTC探测器和单像素微型光谱仪两个方面。为了推动光载太赫兹(THz）技术的发展，我们成功实现了3dB带宽超过270GHz的超高速UTC探测器及其混频光棋块。在微型光谱仪领域，本报告将介绍我们课题组在国际上首次提出的p-Grade-n单像索探测器结构,该结构实现了对入射光的光谐检测。