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摘要

半导体材料现象从19 初世纪第一次被发现后到 20 世纪中晶体管的发明，垫定了人类现代文明的基础。摩尔定律经历了黄金35年(1965–2000)后，转入以创新和设计、技术协同优化(DTCO)辅助下的摩尔定律2.0。进入21世纪20年代，摩尔定律已经逼近极限。同时，冯·诺伊曼在1946年提出来的计算架构也遇到瓶颈，即Memory Wall问题。Monolithic 3D的超高密度新型存储器的实现可以提供更大的带宽和更低的功耗，是Memory Wall的解决方案。在此基础上开发的Near Memory Computing架构可以作为改良的冯·诺伊曼架构给计算领域带来一次革命。低亚阈值摆幅晶体管的开发，加上未来氧化物半导体和低维半导体材料的商用有机会进一步提高芯片性能和降低功耗。半导体技术将从最初的尺寸微缩转变到以芯片单位面积功能扩展为中心来提高芯片系统性能，并支持今后20年无处不在的计算需求

报告人简介

Jeff Xu现任海思研究部部长，半导体基础研究首席科学家，复旦大学兼职教授。Jeff毕业于复旦大学物理系，并获得瑞典皇家理工学院物理学博士学位。在University of Michigan完成博士后研究后，Jeff加入美国英特尔研发部门并开始了他的半导体技术的职业生涯。在英特尔工作10年后，他加入了位于台湾新竹的台积电研发部门并在那里工作了7年。在加入海思之前，Jeff在美国高通工作了4年。 Jeff拥有100多个半导体技术方面的专利，其中多个高价值专利已经应用在他服务过的公司产品中。