摘要
Graphene single crystal has become as a promising material for next generation electronics and optoelectronics. Unfortunately we can’t grow 12-inch graphene single-crystal wafer as we can do in silicon industry. One of the main hamper is that we nowadays grow graphene single crystal very slow. In this talk I will introduce why we need to grow graphene faster and how fast we can achieve in our recently developed new technology [1].
Reference:
Xiaozhi Xu, Zhihong Zhang, Dapeng Yu, Enge Wang, Feng Ding*, Hailin Peng*, Kaihui Liu*, et al. “Ultrafast Growth of Single-crystal Graphene Assisted by a Continuous Oxygen Supply”, Nature Nanotechnology, 11, 930-935, 2016.
报告人简介
俞大鹏，男，1959年3月16日出生于宁夏中卫;法国南巴黎大学固体物理实验室博士；2000年获得国家杰出青年科学基金；2002年获得教育部“国家高层次人才”特聘教授；2005年获得教育部国家高层次人才与创新团队计划--“准一维纳米结构与低维物理”项目支持；2015年当选为中国科学院技术学部院士。
俞大鹏院士长期从事纳米线材料中关键基础科学问题的研究，为我国纳米线材料科学研究进入国际先进行列做出了重大贡献：包括解决了规模、可控制备半导体量子线材料的难题、深入揭示了半导体量子线结构特有的新颖物理现象、系统发掘了半导体量子线的若干重大应用特性，发现了若干重要的纳米线器件效应，发明了一系列纳米加工与精确操控技术，申请国家发明专利20余项（含多项国际PCT专利），引领了半导体纳米线材料的应用基础研究。近年来，俞大鹏院士把研究的重点放在了量子材料与量子输运研究方面，并且不断取得重大突破。尤其是，他领导的研究团队不仅把石墨烯单晶的生长速度提高了两个量级,最近他们又在世界上第一个生长出了5 X 50 cm2的石墨烯大单晶。
基于所取得的研究成果，俞大鹏院士共计发表300余篇论文，含Nature子刊、Physical Review Letters、Applied Physics Letters、Advanced Materials、Nano Letters等顶级专业刊物论文100余篇，被同行参考他引一万余次，h因子为68。俞大鹏院士曾以第一完成人获得了2004年度教育部提名自然科学一等奖和2007年获国家自然科学二等奖、2016年中国真空科技成就奖等。在世界著名出版公司Elsevier发布的2014、2015年度在全球具有重要学术影响力的中国高被引学者（Most Cited Chinese Researchers）榜单中，俞大鹏院士连续进入“物理与天文学科”前三名。
俞大鹏院士培养了一批优秀人才，部分毕业生在包括北京大学、清华大学、中国科技大学、南京大学、中国科学院、美国哥伦比亚大学、MIT、UCSD等名校任教；被评选为第二届北京大学研究生“十佳导师”荣誉称号。
邀请人：贾金锋 jfjia@sjtu.edu.cn
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