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摘要

在超高真空条件下，单晶硅片通过顺态电流热处理，表面发生重构，并形成不同的台阶与台面。采用分子束外延的手段，控制纳米团簇在不同形态的台阶与台面的沉积，研究纳米团簇在硅表面组装的动力学。不同材料的纳米团簇，在硅表面择优生长的方式是不同的。报告将介绍几种独特的方式：（1）仅沿台阶上沿生长（2）在台面非对称生长 （3）台面图形化选择生长 （4）台面拓扑生长。透过这些独特的生长现象，从热力学与动力学的角度，分析硅表面纳米团簇组装的动力学，为研制基于硅的纳米器件提供基础的认识。

报告人简介

上海交通大学特聘教授，2005年度国家杰出青年基金获得者。主要从事纳米科学与纳米技术领域的研究。在著名的专业杂志上发表过30多篇有影响力的论文，其中包括Science, PRL, JACS, Nano Letters, Advanced materials等，引用次数2000余次。有6篇论文单篇引用次数超过100次，单篇最高引用次数近600次。此外，还有5项研究成果获得中国发明专利，1项研究成果获得美国发明专利。目前从事表面物理以及纳米结构与器件领域的研究。